粉體行業在線展覽
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PRISMO HiT3? MOCVD設備
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中微半導體設備（上海）股份有限公司
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PRISMO HiT3? MOCVD設備
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中微具有自主知識產權的MOCVD設備PRISMO HiT3?，是適用于高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關鍵設備，反應腔**溫度可大達1400攝氏度，單爐可生長18片2英寸外延片，并可延伸到4英寸晶片。 中微高溫MOCVD設備PRISMO HiT3專為深紫外LED量產而設計，是目前業內紫外LED產能先進的高溫MOCVD設備。
適用于高溫氮化鋁和深紫外 LED生長的關鍵設備
優異均勻性和高效能相結合
適合高晶體質量和高AIN生長速率的新穎腔體設計
創新的實時監控系統
工藝溫度**可達1400度，具有優異的溫場均勻性和控制穩定性
具有高穩定性、自動化的真空傳送系統，抑制顆粒的產生
界面友好、全自動化的操作系統
競爭優勢
優異的工藝重復性，簡化工藝調整需求，提高產品良率 單爐可生長18片2英寸外延晶片，具有較低的生產成本 集成頂蓋升降機構，簡化設備維護，提高設備利用率 業界**的UVC LED產能及維護周期
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