粉體行業(yè)在線展覽
Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
面議
中微公司
Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
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Primo nanova?是中微基于電感耦合(ICP)技術(shù)研發(fā)的12英寸刻蝕設(shè)備。它可以配置多達六個刻蝕反應(yīng)腔和兩個可選的除膠反應(yīng)腔。其中刻蝕反應(yīng)腔采用了軸對稱設(shè)計,具有高反應(yīng)氣體通量。ICP發(fā)射天線采用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低電容耦合3D線圈設(shè)計,可實現(xiàn)對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。反應(yīng)腔內(nèi)部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料,以獲得更高的工藝重復(fù)性和生產(chǎn)率。設(shè)備還采用了多區(qū)細分的高動態(tài)范圍溫控靜電吸盤,使加工出的集成電路器件的關(guān)鍵尺寸達到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應(yīng)用。
低電容耦合3D線圈設(shè)計
高抽速大容量渦輪泵
精密的腔體溫控系統(tǒng)
先進的高致密性、耐等離子體侵蝕涂層工藝
多區(qū)細分的高動態(tài)范圍溫控靜電吸盤
阻抗可調(diào)聚焦環(huán)設(shè)計
切換式雙頻偏壓系統(tǒng)
可選的集成除膠反應(yīng)腔
可選的Durga ESC
離子濃度和離子能量獨立可控
高排氣量和更寬的工藝窗口
優(yōu)秀的刻蝕均勻性
優(yōu)異的高深寬比刻蝕性能
高生產(chǎn)效率,低生產(chǎn)成本(CoO)
Plasma Scrubber等離子式廢氣處理設(shè)備
VOC凈化設(shè)備
Preforma Uniflex? CW
PRISMO UniMax? MOCVD設(shè)備
PRISMO HiT3? MOCVD設(shè)備
PRISMO A7? MOCVD設(shè)備
PRISMO D-BLUE?MOCVD設(shè)備
Primo Twin-Star? 12 英寸刻蝕設(shè)備
Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備
Primo HD-RIE?新一代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品
Primo iDEA?雙反應(yīng)臺刻蝕除膠一體機
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037