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晶澳團隊率先突破 SiC 龍頭企業減薄設備技術，打破海外壟斷。憑借 “技術銷售雙輪驅動”，把工藝經驗轉化為 “設備調試 + 參數優化” 一體化方案。通過全生命周期服務（覆蓋設備選型、工藝驗證、數據驅動良率提升）和24小時快速響應體系，贏得市場、客戶認可。團隊憑借多語言優勢緊跟國際技術，并通過“設備+專用耗材”生態鏈整合，持續鞏固在第三代半導體裝備領域的**地位。

目前設備加工能力TTV約2um, WTW±1um, 損傷層2.5um, 并將持續優化提升。 晶澳科技，未來可期！

• 配置雙研磨主軸（粗/精可選），雙磨削卡盤工位；
  

• 采用Infeed研磨法，配備IPG厚度測量，可在測量加工過程中晶圓的厚度；

• 為了應對8寸SIC，砂輪主軸配置11Kw高輸出主軸電機；

• 配備wafer前置/后置背面清洗；

• 標配Φ250粗/精磨砂輪砥石。