粉體行業在線展覽
粉體行業在線展覽
6吋電阻法碳化硅晶體生長設備 UK-T6
直接聯系
蘇州優晶半導體科技股份有限公司
江蘇
面議
蘇州優晶
6吋電阻法碳化硅晶體生長設備 UK-T6
725
電阻法碳化硅晶體生長設備UK-T6
1、**解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點，可實現徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內部缺陷少， 良率高、重復性好；
2、與傳統工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內；
3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產，提高晶體生長效率和穩定性。
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
