粉體行業在線展覽
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碳化硅激光垂直剝離設備
直接聯系
北京晶飛半導體科技有限公司
北京
面議
北京晶飛
碳化硅激光垂直剝離設備
532
加工材料 SiC晶錠
切割尺寸(inch) 4/6/8/
**切割厚度(mm) 50
材料損耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重復定位精度(μm) ±0.5
長寬高(mm) 1770×1720×1985
加工工藝
碳化硅激光垂直剝離設備采用的加工工藝是使用激光剝離取代傳統的線切割模式
加工效果
| 剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓 | 垂直剝離后8英寸導電型晶錠與晶圓 |
技術規格
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
