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磁控濺射設(shè)備是一種多功能、高效率的鍍膜設(shè)備。可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基底材料上濺鍍金屬、非金屬、氧化物、介質(zhì)等材料的薄膜,如: Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3 、Si3N4、ZnO、ITO等。濺鍍膜層均勻、致密、附著力強(qiáng)，可應(yīng)用到新型電子材料制備及光學(xué)、太陽(yáng)能、 半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

load-lock采用機(jī)械手運(yùn)送基片，上料室預(yù)抽真空，保證濺射室良好的真空環(huán)境，實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)；
　　濺射靶角度可調(diào)；
　　可沉積單層、多層薄膜、合金薄膜和摻雜薄膜；
　　濺射靶之間采用特殊結(jié)構(gòu)相互隔離，避免靶材之間交叉污染；
　　可選配輔助清洗離子源，有效提高薄膜的附著力；
　　電源配置可選：直流、射頻、直流脈沖、直流偏壓、射頻偏壓；
　　基片臺(tái)可加熱，通過工藝控制可制備單晶薄膜；

-靶材尺寸： Φ50mm、Φ75mm、Φ100mm、Φ125mm、Φ150mm
　　-靶材數(shù)量：2-4個(gè)
　　-基片尺寸：2-8英寸
　　-基片臺(tái)轉(zhuǎn)速：5-30rpm，轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)
　　-基片臺(tái)加熱：室溫-400℃，控溫精度±1%
　　-沉膜不均勻性： ±3% ～ ±5%
　　-真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)/低溫泵系統(tǒng)