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面議
1932
產(chǎn)品名稱:離子束刻蝕系統(tǒng)
品牌:Elionix
型號:EIS-200
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:離子束蝕刻,干法蝕刻,離子束轟擊,離子束減薄
簡短描述:(<40字):利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速,對樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。
一、簡介
EIS-200是Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術(shù)(ECR)的小型離子束蝕刻系統(tǒng),特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄,清洗、鍍膜等。
EIS-200原理:
利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速到達(dá)樣品表面,對樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。
EIS-200具有以下優(yōu)點(diǎn):
?方向性好,各向異性,陡直度高,側(cè)向刻蝕少
?分辨率高
?不受刻蝕材料限制,可對石英等材料進(jìn)行蝕刻
?可控制蝕刻Taper角
?可以設(shè)定多樣的實(shí)驗(yàn)條件
二、主要功能
l主要應(yīng)用
納米級圖案刻蝕
高深寬比蝕刻
表面清潔
離子減薄
l技術(shù)能力
離子槍 | ECR型離子槍 |
離子化氣體 | Ar、Xe等、惰性離子氣體 |
N2、O2、CF4等、活性離子氣體 | |
加速電壓 | 100V~3000V 連續(xù)可變(高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX) |
離子束流密度 | Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時(shí)) |
O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時(shí)) | |
離子束有效直徑 | Φ20mm(FWHM35mm) |
離子束穩(wěn)定度 | ±3%/2H |
大樣品尺寸 | Φ4英寸 |
三、應(yīng)用
納米級圖案刻蝕、高深寬比蝕刻、表面清潔、離子減薄等
?SiO2 on Si substrate
?Diamond Substrate(金剛石)
?Quartz (Mask)
?Oriented PET film
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037