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      1.晶片尺寸：4”～6”；
　　2.**溫度：1700℃；
　　3.控溫精度：±1℃；
　　4.極限真空：優于3Pa；
　　5.壓力穩定性：100~1000mbar；
　　6.反應室漏氣率：1E-10Pa·m3/S
　　7.工藝氣體：SiH4、C3H8、N2、TMAl ；
　　8.載氣：Ar、H2 。

      1.內置式電磁感應加熱，升降溫速度快
　　2.基片氣浮行星旋轉運動，溫度、外延膜均勻性好
　　3.三層水平層流送氣，氣流均勻性好
　　4.噴淋頭水冷，預反應小
　　5.手套箱裝取片 ，反應室內潔凈度高