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高壓晶體生長
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溫度：500～2500℃，高溫電阻/感應加熱器，優化熱場設計
多溫區石墨坩堝，升降，提拉，等徑控制等
腔體壓力：1-10MPa，高壓容器設計、制造及檢測
工藝類型：提拉、PVT
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