粉體行業在線展覽
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F2000 集成電路前道晶圓缺陷檢測設備
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北京
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F2000 集成電路前道晶圓缺陷檢測設備
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晶圓缺陷檢測設備具有明場DIC、暗場和先進的AI技術。F2000可檢測裸片和外延片表面的顆粒和劃痕等缺陷。其性能與KLA SP1相當。該工具應用于HVM晶圓制造和IC Fab中各種前端工藝節點的檢測，以提高芯片生產的良率。
設備描述 Features
晶圓搬運 | EFEM: 6” / 8” SMIF or 12” FOUP |
晶圓類型 | 不透明晶圓，如裸硅片、氧化物、氮化物等 |
晶圓翹曲 | 不大于100um |
晶圓厚度 | 350um~1.5mm（在晶圓底部打開并夾持） |
照明系統 | 斜入射暗場，微分干涉明場 |
非圖形化晶圓顆粒檢測靈敏度 | 51nm |
檢測缺陷分類 | Particle, scratch, pit, bump, Haze map |
工藝節點 | 90,130nm |
F2000 集成電路前道晶圓缺陷檢測設備
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