碳化硅外延P-Type

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江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

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面議

品牌：

晶沐光電

型號(hào)：

碳化硅外延P-Type

關(guān)注度：

386

產(chǎn)品介紹

介紹：碳化硅（SiC）外延P型是通過(guò)在SiC襯底上生長(zhǎng)摻雜受主雜質(zhì)（如鋁或硼）的外延層實(shí)現(xiàn)的，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱性和高擊穿電場(chǎng)等特性。

應(yīng)用：應(yīng)用于功率電子（高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)）、高溫器件、IGBT（電動(dòng)汽車(chē)和電力系統(tǒng)）、BJT（高功率放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用）和射頻器件（5G基站和雷達(dá)）等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別適合高功率、高頻和高溫環(huán)境。

產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

碳化硅P型外延襯底（2~8inch）
襯底直徑	2英寸-50.8mm	4英寸-100mm	6英寸-150mm	8英寸-200mm
碳化硅襯底厚度	350μm	350μm	350μm	500μm
碳化硅襯底晶向	Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5°
碳化硅襯底電阻率	0.014～0.028 Ω?cm

外延導(dǎo)電類型	P-type
摻雜元素	Al-doping
外延層厚度	＜5 um
外延層厚度均勻性	≤6%
外延層表面	RMS＜1nm
外延結(jié)構(gòu)圖

產(chǎn)品咨詢

碳化硅外延P-Type

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