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常規(guī)C向襯底

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

晶沐光電

型號：

常規(guī)C向襯底

關(guān)注度：

302

產(chǎn)品介紹

介紹：化學(xué)式(α-Al2O3)，為六方晶格結(jié)構(gòu)。化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，不溶于水，耐強(qiáng)酸、強(qiáng)堿的腐蝕。莫氏硬度9級，熔點(diǎn)為2050℃，沸點(diǎn)3500℃，**工作溫度可達(dá)1900℃。透光性好，熱傳導(dǎo)性和電氣絕緣性，力學(xué)機(jī)械性能表現(xiàn)優(yōu)秀，具有耐磨和抗劃傷的特點(diǎn)。

應(yīng)用：LED（氮化鎵基LED）、激光二極管（藍(lán)光、紫外）、射頻器件（5G通信、雷達(dá)）、功率電子器件（電動汽車、工業(yè)電源）。

產(chǎn)品規(guī)格書

藍(lán)寶石常規(guī)C向單晶襯底（1~12英寸）
材料成分	>99.99%，High Purity， Mono-crystalline Al2O3 (KY)
直徑	25.4mm	50.8mm	76.2mm	100mm	125mm	150mm	200mm	300mm
厚度	500μm	430μm	500μm	650μm	800μm	1000μm	1200μm	2000μm
端面晶向	C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1°							0 ± 0.5°
端面晶向	C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1°							0 ± 0.5°
定位邊晶向	A-Plane（11-20） ± 1.0°
定位邊長度	8mm	16mm	22mm	30mm	30mm	47.5mm	Notch	Notch
正面狀態(tài)	Epi-polished,Ra<0.3nm							Epi-polished,Ra<0.5nm
反面狀態(tài)	SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm							DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
鐳刻碼面	Back side							N/A
總厚度偏差TTV	≤5μm	≤8μm	≤10μm	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm	≤30μm
彎曲度BOW	≤8μm	≤10μm	≤12μm	≤15μm	≤25μm	≤25μm	≤40μm	≤45μm
翹曲度WARP	≤10μm	≤12μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm	≤30μm	≤60μm	≤60μm
邊緣去除	≤2 mm							≤3 mm

產(chǎn)品性能表

藍(lán)寶石單晶 Sapphire
晶體結(jié)構(gòu)	六方晶體
禁帶寬度(eV)	/
熔點(diǎn)（℃）	2040℃
莫氏硬度(mohs)	9
熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)	0.46W·cm^-1·℃^-1
熱膨脹系數(shù)(℃^-1)	6.710-6 // C-axis 5.010-6 ⊥C-axis
晶格常數(shù)(nm)	a=4.76? c=12.99?
折射率	1.762~1.777
透過率	測試樣品：藍(lán)寶石：直徑76.2毫米×厚度4毫米紫外線：波長200至380納米，透過率74%至84% 可見光：波長380至760納米，透過率85% 紅外線：波長760至1000納米，透過率85% 遠(yuǎn)紅外線：波長大于1000納米，透過率80%至100%

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