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低缺陷密度控制技術(shù)  

技術(shù)團(tuán)隊(duì)依靠多年的外延工藝經(jīng)驗(yàn)和現(xiàn)階段的技術(shù)開發(fā)，不斷優(yōu)化和迭代自有碳化硅外延技術(shù)，同時(shí)針對(duì)不同廠家的襯底進(jìn)行開發(fā)，在不同廠家的襯底進(jìn)行的外延生長(zhǎng)均能實(shí)現(xiàn)低缺陷密度，為器件的可靠性提供有力的保障。

高均勻性外延技術(shù)    

技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過一系列的工藝優(yōu)化和設(shè)備改造升級(jí)，碳化硅外延片的外延層厚度不均勻性可＜0.5%，外延層載流子濃度不均勻性可＜1.5%。

雙激光精準(zhǔn)缺陷掃描

已經(jīng)采用雙激光掃描缺陷檢測(cè)設(shè)備，除了精準(zhǔn)檢測(cè)晶體表面的形貌缺陷外，對(duì)于材料內(nèi)部的晶格缺陷也能精確掃描和檢測(cè)。

預(yù)防器件失效技術(shù)

除了常規(guī)的量測(cè)和控制方法外，技術(shù)團(tuán)隊(duì)增加特殊管控方法，確保碳化硅外延片不會(huì)因外延材料質(zhì)量異常導(dǎo)致器件失效。