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碳化硅pvt培育的長晶

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浙江東尼電子股份有限公司

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東尼電子

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碳化硅pvt培育的長晶

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PVT法長晶

籽晶粘結成功率可以接近100%，平均生長速度0.13-0.16mm/h，晶體利用率更高，更加適合6～8寸晶體的生長，單位晶體成本更低。同時具有高可靠性，熱場和工藝調節更便捷，更加適合規模化生產，這些優勢在生長大尺寸晶體時尤其明顯。

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