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東尼采用的前沿技術突破了碳化硅單晶材料的大直徑生長、多型控制、應力和位錯缺陷降低等關鍵問題，解決了碳化硅晶體生長缺陷數量的控制和晶體品質的瓶頸問題，從而得到高質量、大尺寸的碳化硅單晶材料。

• 通過采用多重物理量有限元素工程分析軟件，優化長晶熱場、流場，獲得**的徑向溫度梯度

• 采用碳化鉭涂布工藝技術，抑制熱場中雜質的揮發，提高晶體品質

• 優化研磨技術與特殊拋光工藝技術，提高量產良率和晶體品質的一致性