粉體行業(yè)在線展覽
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氮化鎵
直接聯(lián)系
埃特曼（北京）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
北京
面議
埃特曼半導(dǎo)體
氮化鎵
899
氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表，因其高耐壓、高飽和速率等優(yōu)點(diǎn)，在微波射頻和功率電子領(lǐng)域逐漸替代傳統(tǒng)的硅基器件，發(fā)揮重要作用。埃特曼采用國(guó)際**的 Hybrid-MBE 技術(shù)，為國(guó)內(nèi)外客戶提供高質(zhì)量、低成本的 GaN 外延片。
射頻類：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率類：
GaN-on-Si HEMT
產(chǎn)品咨詢
氮化鎵
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