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SVTA-VC-45 裂解源包括As、P、Sb、Te、Se、S等。

As裂解源用于生長高質量的III-V材料薄膜，擁有**的裂解效率和**的束流均一性。其獨特地設計在于兩個獨立的可控加熱區(qū)：體蒸發(fā)區(qū)和產生純AS₂束流的裂解區(qū)。集成于體蒸發(fā)區(qū)及閥門的水冷卻套管可有效冷卻整個裂解源。

SVT銻裂解源可在超高真空環(huán)境下提供有效、可靠的超純銻束流。銻裂解源有3個獨立可控的加熱區(qū)，水冷卻覆蓋了體蒸發(fā)器、閥門、高純裂解管和PBN容器。標準配置的銻裂解源采用手動控制針閥。計算機控制針閥裝置可選，用于遠程控制束流。源在運往客戶前都經過測試和表征，包括SVT配件。

SVT磷裂解源可在超高真空環(huán)境下提供有效、可靠的超純磷束流。磷裂解源有3個獨立可控的加熱區(qū)并帶有熱隔離，實現紅磷與白磷之間的原位轉變以及重復蒸發(fā)。所有加熱器確保正常除氣。水冷卻可以促進存儲容器里的材料凝結。全金屬的針閥操作期間可以快速調整束流。磷源在高溫裂解區(qū)裂解成P₂束流。

為保證超純的操作環(huán)境，坩堝和裂解管都使用高純材料。可選的計算機控制閥門（SVTA-VC-ACM）可以使拓展束流多樣性。它在生長過程中精確、快速地控制閥門。閥門功能可以集成在RoboMBE軟件中。此閥門不但有助于材料生長質量和工藝重復性的提高，而且在生長室充氣至大氣壓下添加其它源材料時，避免砷材料被氧化。

SVT公司提供200cc及500cc的容量。