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凹坑儀設(shè)備建立了TEM樣品制備機械預(yù)減薄的標(biāo)準(zhǔn)。其凹坑方法已經(jīng)成功運用于許多不同的材料，如硅、鎵砷化合物、鍺、藍(lán)寶石、氧化物、碳化物、硼化物、硅化物、玻璃、多相材料、Ⅲ-Ⅴ半導(dǎo)體、鋁合金、陶瓷、碳和碳復(fù)合物。

規(guī)格：

- 大小

長 27" (68.6 cm) 寬 14" (35.6 cm)

高 13" (33.0 cm) 重 70 磅 (32 kg)

- 公差

電子：

Z 偏移量：精確1μm

范圍：2000 μm

工具速度：100 to 600 RPM， 恒速

樣品壓盤轉(zhuǎn)速：10 RPM， 恒速

1 把樣品臺放到加熱臺上，加熱5分鐘后加少許石蠟，粘上樣品；

2 使用Gatan623手動研磨盤，在1000號的砂紙上，將樣品研磨至80μm左右；

3 將粘有樣品的圓柱臺放在凹坑儀上，啟動TABLE馬達(dá)，在顯微鏡下調(diào)整樣品臺位置，對樣品定位對中；

4 加20 g的配重載荷，選擇中等打磨速度，裝上研磨輪，并小心地把磨輪降到樣品臺沒有樣品的地方，逆時針旋轉(zhuǎn)微米進(jìn)程驅(qū)動器，使刻度盤指示器的指針轉(zhuǎn)滿一 整圈后剛好停在零點位置；按下ZERO，設(shè)置零點；

5 旋轉(zhuǎn)升降凸輪，把研磨輪放到樣品表面上：刻度盤指示器顯示樣品材料和固定蠟的總厚度；

6 用竹簽放入少量6μm金剛石研磨膏到銅研磨輪和樣品上，加蒸餾水潤滑；同時開啟兩個馬達(dá)開始研磨，研磨過程需隨時加蒸餾水潤滑；

7 研磨完畢后，在輪軸上換上3μm拋光輪，徹底清除掉樣品上殘留的研磨膏， 把樣品臺放回磁轉(zhuǎn)盤上，用顯微鏡對中；調(diào)節(jié)載荷和轉(zhuǎn)速，降下拋光輪對樣品 進(jìn)行粗拋光；

8 取下樣品臺，把粗拋光過程中殘留的拋光膏完全沖掉；換上新的拋光輪， 使用粒度為0.05μm的氧化鋁拋光膏繼續(xù)拋光，需隨時觀察、加蒸餾水潤滑；

9 拋光完畢后，沖洗拋光輪，擦拭輪軸；用棉簽清潔、沖洗樣品；

10 將樣品連同樣品臺同時放入丙酮溶液中，待樣品自行脫落后取出樣品。