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Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher
氫氟酸氣相蝕刻系統
MEMS領域設備：準干法氫氟酸氣相蝕刻系統，4“、6”、8“范圍適用。
氫氟酸蝕刻二氧化硅是微電子行業中的一道傳統工藝，多以濕法為主，但是濕法工藝容易造成硅表面自然氧化層無法完全去除，進而影響金屬和硅的歐姆接觸。
本氫氟酸氣相蝕刻是一套準干法工藝設備，通過對基底的加熱，晶圓表面的水分可以很好的控制。由
于晶圓完全不與液體接觸，可以進行無粘著MEMS釋放。
特點：
安全酸處理
可重復利用HF
晶圓夾緊機構
適于各種尺寸的晶圓
無需安裝（裝置在濕法酸工作臺中使用）
上部向下晶圓蝕刻
背面保護
低運行成本
應用：
無粘著MEMS釋放
結構減薄
SOI基底上的結構免切割釋放
蝕刻速率從0到10 μm/hour可調（無粘著）
單面二氧化硅蝕刻（蝕刻過程背面保護）
4英寸產品型號：VPE100
6英寸產品型號：VPE150
8英寸產品型號：VPE200
蝕刻液：50%HF有機溶液
蝕刻速率：2-30 μm/hour
加熱溫度：35-60℃
反應室溫度控制
在反應室內，二氧化硅的腐蝕速率隨液體HF的溫度略有變化。氫氟酸的溫度取決于潔凈室的環境溫度。此外，在長時間的蝕刻過程中，HF會被加熱，導致晶圓之間的蝕刻速率增加，直到系統穩定下來。為了穩定腐蝕速率，我們在容器中開發了一個溫度可控的HF反應室。高頻的溫度可以通過附加的控制器來調節。
