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面議
1036
Idonus基于高功率LED和高檔微透鏡陣列的基礎(chǔ)上提出了一個(gè) GE MING性的紫外光照系統(tǒng)。
這個(gè)產(chǎn)品應(yīng)用于光刻膠曝光工藝,適用多種基材。光照質(zhì)量保證了高的同質(zhì)性的臨界尺寸和整個(gè)面上的側(cè)壁角。實(shí)際上,由于使用了一種完全遠(yuǎn)心的光學(xué),我們的設(shè)計(jì)提供了**的穩(wěn)定光照條件,即整個(gè)表面的高同質(zhì)性的強(qiáng)度和低的發(fā)散角。
可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)定制,可以極大縮短您的想法變成產(chǎn)品的時(shí)間。
LED BENEFITS優(yōu)點(diǎn)
目前隨著LED技術(shù)的發(fā)展,紫外LED表現(xiàn)出了比汞光源更大的優(yōu)勢(shì)。
● 長(zhǎng)壽命LED,測(cè)試不需要耗材
● 不需要每天校準(zhǔn),即刻穩(wěn)定光照
● 有限的發(fā)熱,這降低了空氣冷卻費(fèi)用
● 低功率消耗
● 光源僅僅在曝光時(shí)開(kāi)啟(不需要快門(mén))
● 用戶可以根據(jù)需求進(jìn)行照射系統(tǒng)定制。
也可以按照用戶舊機(jī)器的尺寸設(shè)計(jì)照射系統(tǒng),以替代舊的機(jī)器上的汞燈照射系統(tǒng)。
TYPICAL PERFORMANCES 典型參數(shù)
分辨率 :0.5 μm
光學(xué)功率 :20 to 200 mW/cm2
曝光區(qū)域 :50x50 to 300x300 mm2
光學(xué)輻照不均勻性 : ±2%
ZUI大發(fā)散角(FWHM) :±1.5°to 3°
波長(zhǎng) :365 / 385 / 405 nm
光譜半寬幅 :12 nm
設(shè)備尺寸 : 65x30x30 cm3
總功率 :20 to 1200 W
EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系統(tǒng)規(guī)格舉例 可能的曝光系統(tǒng)的不同配置如下表所示,系統(tǒng)可以根據(jù)您的需要設(shè)計(jì)。 | |||
System Type 系統(tǒng)型號(hào) | A | B | C |
Resolution [um] 分辨率 | 2 | 1 | 1 |
Optical power [mW/cm2] 光學(xué)功率 | 42 | 152 | 165 |
Exposition area [mm2] 曝光面積 | 80x80 | 100x100 | 300x300 |
Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均勻性 | ±2 | ±2 | ±2 |
Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum) **發(fā)散角(半寬幅) | ±2.5° | ±1.5° | ±1.5° |
Wavelength [nm] 波長(zhǎng) | 405 | 365 | 385 |
Spectrum half width [nm] 光譜半寬幅 | 12 | 12 | 12 |
System size [cm] 系統(tǒng)尺寸 | 65x30x30 | 65x30x30 | 1100x60x60 |
Power consumption [W] 功耗 | 20 | 180 | 1200 |
TH-F120
BL-GHX-VK
線性壓電納米位移臺(tái)MF40-25A
A500
ParticleX TC
觀世
SuperSEM N10
在線濁度計(jì)
SLS-LED-80B
SCI300
ZEUS