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粵升設備自主研發的SiC外延爐，外延爐已獲得多家外延生長廠家批量訂單，生長的SiC外延片質量達到國際**水平，滿足SBD和MOSFET器件的制備要求。

設備名稱:SiC外延爐

設備型號:YS-E08S01

設備功能:CVD法生長SiC同質外延

襯底尺寸:6吋兼容8吋

片內厚度不均勻性:<2%片內摻雜濃度不均勻性:<5%形貌缺陷密度:<1個/平方c㎡

·具備n、p型及高速率的外延生長能力

·RUN TO RUN性能優異

高均勻性、低缺陷的SiC外延質量

，供液一體化系統，