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    立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。
        氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE），在硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質層和柵氧化層等。
        退火是在中低溫條件下，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量的一種工藝。

應用領域：

用于IC集成電路、MEMS、電力電子器件、光電子器件等領域。