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一、設備簡介

碳基前驅體添加到流化床沉積爐內，通入高溫氣體，硅烷高溫裂解，沉積在多孔碳的表面，得到包覆改性物料，相比傳統CVD爐氣固相接觸充分，包覆硅時包覆層比傳統工藝更均勻，反應區的溫度控制均勻，溫度精度一致性更好。

二、技術參數

1. 載氣：N2、H2、Ar

2. 反應氣體:CH4、C2H2、C3H6、SiH4等

3. 每批處理量： 10kg≤Q≤150kg

4. 操作溫度： ≤800℃

5. 操作壓力： ≤10Kpa

6. 卸料溫度： ≤200℃

7. 氧指數： ≤50ppm