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PECVD鍍膜設備

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北京嘉潤通力科技有限公司(JRP).

產品規格型號
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面議

關注度:

5675

范圍(量程或細度):

--

應用行業:

廣泛地應用于半導體器件工藝,最近在光學纖維的涂層和某些裝飾性涂層方面獲得了應用。

產品介紹

PECVD鍍膜設備

      PEVCD(等離子增強化學氣相沉積)*重要的應用之一是沉積微電子器件用絕緣薄膜,在低溫下沉積氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一類的絕緣薄膜,這對于超大規模集成芯片的生產是至關重要的。PECVD的一個重要優點是能在比熱CVD更低的溫度下沉積。PECVD技術在250~400度的溫度范圍內使氮化硅薄膜的沉積成為可能。PECVD沉積SiO2絕緣層被廣泛地應用于半導體器件工藝,*近在光學纖維的涂層和某些裝飾性涂層方面獲得了應用。近年來,PECVD在摩擦磨損、腐蝕防護和切削工具涂層應用方面獲得了很大進展。


PECVD設備可制備的薄膜

  • SiNx

  • SiO2

  • α-Si

  • Poly-Si

  • GaAs膜

  • Si:H膜

  • SiC膜

  • DLC多晶硅

廣泛應用于微電子和光電子領域科研和生產。
PECVD沉積設備參數

  • 特殊的平板式φ200*H150反應室

  • 系統極限真空1*10-5Pa

  • 帶加熱和氣浴噴淋系統

  • 電源:13.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 雙電源

  • 數字定時器,精度1秒

  • 數字溫度控制系統

  • 工藝程序自動化

  • 觸摸屏控制、動畫實時顯示工藝過程的狀況和提示

  • 質量流量計4個;氣路4路 ( 可增選 )。

  • 樣品加熱:30~600℃,控溫精度:≤ ±1℃

  • 強制循環水冷




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