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適用范圍：

應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅晶片的拋光工序，碳化硅材料具備超硬特性，常規(guī)氧化硅拋光液存在拋光效率慢的問題，

本產(chǎn)品在Si面碳化硅拋光上具有很好的表現(xiàn)，它有高效的去除速率，拋光后的碳化硅表面缺陷較少，同時(shí)在拋C面碳化硅

時(shí)亦可以獲得良好的表面質(zhì)量，從而確保被拋工件有較高的拋光效率及良品率，提高客戶產(chǎn)品競爭力。

主要技術(shù)指標(biāo)：