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全自動(dòng)單站化學(xué)吸附儀CM8310

ChemiMaster 8310(CM8310)儀器基于動(dòng)態(tài)技術(shù)，可進(jìn)行TPD(程序升溫脫附)、TPR（程序升溫還原），TPO（程序升溫氧化）、脈沖化學(xué)吸附測(cè)金屬分散度、蒸汽吸附、BET單點(diǎn)比表面積的物理吸附分析、多組分競爭性吸附，用于測(cè)定催化劑材料的酸堿量、酸堿強(qiáng)度、貴金屬分散度、氧化還原性能、多組分競爭性吸附等重要指標(biāo)。
                                
儀器主要技術(shù)參數(shù)及優(yōu)勢(shì)

●單站設(shè)計(jì)，可升級(jí)雙站，管路并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
●MFC數(shù)量：2
●TCD數(shù)量：1個(gè)
●反應(yīng)爐工作溫度范圍：室溫～1200℃，可選配低溫裝置
●反應(yīng)爐溫度測(cè)控方式：采用“床溫”和“爐溫”雙點(diǎn)測(cè)控方式 
●樣品溫度測(cè)控方式：獨(dú)立的溫度傳感測(cè)量與控制
●檢測(cè)器類型：線性度良好的萊鎢合金高靈敏熱導(dǎo)檢測(cè)器TCD 
●儀器內(nèi)部整體保溫：**可達(dá)300℃
● 氣體管路數(shù)：8路氣體，自由切換
● 氣體流速范圍：5～100 SCCM
● 軟件顯示：程序升溫實(shí)時(shí)顯示，閥門狀態(tài)實(shí)時(shí)顯示
●質(zhì)譜取氣端口：位于樣品管出氣口位置，避免氣流干擾
● 安全提醒：具有系統(tǒng)危險(xiǎn)狀態(tài)報(bào)警功能
●多組分競爭性氣體吸附，可以進(jìn)入4路氣體
● 蒸汽發(fā)生器: 可以選配蒸汽發(fā)生器，可以進(jìn)行各種蒸汽化學(xué)吸附
● LOOP環(huán)：可以選配3種體積以上的LOOP環(huán)，*小體積150微升
● 管路材質(zhì)和管徑：配置1/8 英寸的SS 316不銹鋼管路和自動(dòng)六通閥 
● 管路保溫：儀器內(nèi)部所有管線和控制閥門均加熱保溫設(shè)計(jì) 
●長寬高：110CM*63CM*83CM
●功率：1500瓦
●重量：150kg

儀器主機(jī)

儀器選型表
               
競爭性吸附
 
通過TPD或脈沖滴定等過程，可以測(cè)試樣品對(duì)于特定氣體吸附量。但在實(shí)際應(yīng)用中，樣品所接觸到的氣氛通常更為復(fù)雜，不同氣體同時(shí)與樣品接觸時(shí)，吸附能力并非簡單的加和關(guān)系，而有可能表現(xiàn)出不同組分的競爭關(guān)系（X組分的存在有可能抑制樣品對(duì)于Y組分的吸附）或協(xié)調(diào)關(guān)系（X組分的存在有可能促進(jìn)樣品對(duì)于Y組分的吸附）。因此對(duì)于實(shí)際應(yīng)用場景，有必要針對(duì)更為復(fù)雜的氣體配比條件，測(cè)試樣品對(duì)于多組分氣體的實(shí)際吸附能力。
 
TPD：程序升溫脫附

樣品的表面活性位（例如酸中心）吸附探針分子（例如NH3）后，在載氣吹掃下進(jìn)行程序升溫，記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPD測(cè)試譜圖。譜圖中探針分子的脫附峰的溫度對(duì)應(yīng)活性中心的強(qiáng)度，譜圖中探針分子的脫附峰的面積對(duì)應(yīng)活性中心的數(shù)量。

TPR/TPO：程序升溫還原/程序升溫氧化

TPR用于表征金屬催化劑的還原性。用一定比例的H2/Ar混合氣體作為載氣流過樣品床層并按照一定速率程序升溫。記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPR測(cè)試譜圖。譜圖中還原峰的溫度對(duì)應(yīng)金屬中心的還原性能，譜圖中還原峰的面積對(duì)應(yīng)金屬中心還原過程的耗氫量。
TPO與TPR類似，用氧化性氣體代替還原性氣體，用于測(cè)試金屬中心的氧化性能。

脈沖滴定

以脈沖方式向樣品表面定量注入特定的氣體，記錄載氣濃度的變化，未被吸附的氣體將流過樣品床層并被檢測(cè)器記錄。記錄載氣濃度的變化得到脈沖滴定譜圖，其中記錄到的峰對(duì)應(yīng)于未被吸附的氣體的量，脈沖的次數(shù)對(duì)應(yīng)于總脈沖量，兩者差減就是樣品的吸附量。脈沖滴定用于表征活性金屬面積，分散度，平均晶粒尺寸等參數(shù)。