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薄膜熱應力測試系統（TST ）

薄膜熱應力測試系統，采用測量光學設計 MOS 傳感器，MOS 傳感器榮獲美國**，可快速準確地測量薄膜的曲率、應力強度、隨溫度變化的曲線關系等。

產品特點

獲得美國**技術的 MOS 多光束技術（二維激光陣列）

采用真空和低壓氣體保護，可進行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測量

樣品快速熱處理和冷處理功能

溫度閉環控制保證**的溫度均勻性和精度

實時的應力、曲率 VS 溫度曲線

程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全面積掃描

成像功能：樣品表面 2D 曲率成像，定量薄膜應力成像分析

測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等

氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery 系統

可采用泵入液氮冷卻，**冷卻速率 100°C/min

技術原理

本測試系統采用非接觸 MOS 激光技術；不但可以對薄膜的應力、表面曲率和翹曲進行精確的

測量，而且還可二維應力 Mapping 成像統計分析；同時可精確測量應力、曲率隨溫度變化的關系。

激光部分和檢測器固定在同一框架上，這種設計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率

運動或掃描，從而有效避免了外界振動對測試結果的影響；同時大大提高測試的分辨率；適合各種

材質和厚度薄膜應力分析。

技術參數

溫度范圍 -100~1200°C( 多種溫度范圍可選)

溫度速率 加熱 >10°C/秒

冷卻

600°C，** 50°C/分鐘

400°C 到室溫， ** 5°C/分鐘 （可擴展更快的升溫和降溫速率）

溫度均勻性 ± 2 °C

溫度穩定性 ± 1 %

平均傾斜重復性 < 1μrad

平均曲率重復性 < 2×10E -5 1/m

應力測量范圍 幾十 KPa ~ 幾十 GPa

空間掃描分辨率 高達 1μm

（用戶可調）

曲率分辨率 室溫 100Km，高溫 20Km

實時熱應力測量分析 30 點/秒

真空腔室真空度 10 mTorr

測量基片尺寸 標配 200mm（100mm 和 300mm 可選）

應用

本測試系統現在用于全球科研或者生產企業中薄膜原位應力監測和控制。

應用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm 半導體集成電路板、薄膜電池、

MBE 和 MOCVD 薄膜制備和退火過程的熱應力監控等領域。