粉體行業在線展覽
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深圳市藍星宇電子科技有限公司
德國
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781
德Eulitha電子束光刻機Phable R100 system
高分辨率，非接觸式，接近光刻
PhableR 100系統基于由Eulitha AG開發的專有PHABLE（Photonics Enabler的簡稱）光刻技術，這使得可以在非接觸，鄰近光刻系統中印刷高分辨率周期性結構。使用PhableR 100獲得的分辨率基本上與DUV投影光刻系統的相同，但沒有復雜和昂貴的光學和力學。例如，具有150nm半間距的線性光柵可以用新系統以高均勻性印刷。作為附加的優點，由PhableR 100系統形成的圖像的實際上無限的聚焦深度意味著高分辨率圖案可以以高均勻性印刷在非平坦基板上，這在光子應用中通常遇到。
PhableR 100系統可以使用工業標準鉻玻璃或相移掩模曝光直徑高達100mm的基板。掩模和襯底被手動地加載到系統上，并且曝光過程由機載計算機控制。可以使用可從普通供應商獲得的標準i線光刻膠，正和負色調。線性或彎曲光柵，具有六邊形或正方形對稱性的2D光子晶體類型圖案可以印刷有小于300nm的特征周期。該系統也可以像接近或接觸模式中的標準掩模對準器一樣使用以打印微米級結構。目標應用包括光子學研究和開發項目，用于光衍射和光譜的光柵制造，LED上的光提取圖案，圖案化藍寶石襯底和濾色器。
好處
。高分辨率低于300nm間距
。全場曝光
。非接觸：保護面罩免受損壞和污染
。精確無限的焦深
。適用于非平面基板（如外延晶片）
。高均勻性
。外形對齊功能
。商業化的光刻膠和材料
。常規面罩（Cr-on-glass）
。頻率乘法
規格
。分辨率10nm半間距（線性光柵）
。晶圓尺寸高達100mm直徑
。掩碼格式5“
。照明均勻度<3％
。間距范圍300nm - 3μm
。抗蝕劑厚度>1μm
。操作手動加載 - 自動曝光
。控制觸摸面板
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
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