粉體行業在線展覽
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上海沃埃得貿易有限公司
臺灣
面議
545
臺灣EMT7065霍爾效應儀
霍爾效應儀可以測量Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質的半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數。EMT7065霍爾效應儀運用先進的Keithley電子儀表，和我們在極端的條件下能夠很好的整合一整套系統，我們的霍爾效應儀溫度范圍可以達到4K-1000K，磁場可以升級到9T。
可以結合許多極端環境平臺：
從4K到1000K溫度不改變樣品架
制冷機溫度可達到1000K
寬泛的測量范圍無需跟換腔體進行操作
堅固設計并安裝在冷卻器的上端，換樣品時不會接觸到。
許多標準的安裝配置可用-可定制適合你的冷端或者樣品架安裝配置
可以使用許多不同的封閉式和開放式循環制冷機
提供高溫系統以及溫度控制器
