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ALD原子層沉積技術
NLD-3500（M）原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供**的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。
NLD-3500（M）原子層沉積系統特點：NLD-3500是一款緊湊型獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3， AlN， TiN， ZrO2， LaO2， HfO2，等等）。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。NLD-3500系統提供12”的鋁質反應腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
NLD-3500（M）原子層沉積系統選配：NLD-3500系統的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發生器，等等。
NLD-3500（M）原子層沉積系統應用：
Oxides氧化物: Al203， HfO2， La2O3， SiO2， TiO ZnO， In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN， TiN， TaN， etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
Nano laminates納米復合材料
