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RIBE反應離子束刻蝕系統
NIE-4000（R）RIBE反應離子束刻蝕產品概述：如銅和金等金屬不含揮發性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術已經證明了可以把基片溫度控制在50° C以內的同時，旋轉晶圓片以達到想要的均勻度。
NIE-4000（R）RIBE反應離子束刻蝕產品特點：
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV，650mA， 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉速度3、10RPM，真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
自動/手動上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min， 硅：500 ?/min
6”范圍內，刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅動，4級密碼訪問保護
完整的安全聯鎖
NIE-4000（R）RIBE反應離子束刻蝕 Features：
14.5" SS Cube ion beam chamber
16 cm DC Ion gun 1000V， 500 mA ，DC motor driven SS shutters
Ion Beam neutralizer
Ar MFC
Chilled water cooled 6” substrate platen
Wafer rotation 3-10 RPM， Vacuum stepper motor
Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
Manual/Auto wafer load/unload
Typical Etch Rates: 200 ?/min Cu， 500 ?/min Si
+/-3% etch uniformity over 6“ area
5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
PC Controlled with LabVIEW Software
Recipe Driven， Password Protected
Fully Safety Interlocked
