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四電弧高溫單晶生長爐

直接聯(lián)系

量子科學(xué)儀器貿(mào)易（北京）有限公司

日本

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

面議

關(guān)注度：

839

產(chǎn)品介紹

四電弧高溫單晶生長爐

日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長爐，采用電弧放電的高溫材料合成方法，非常適合生長化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點極高（一般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe₂， UPt3， V₃Si， URu₂Si₂， RE₂Co₁₇ ， CePd₂Al₃， REFe₁₀Ti₂ 合金單晶以及Nd₂Fe₁₄B， URhAl， UNiAl and RENi₅等合金單晶。生長的過程中，原料放在旋轉(zhuǎn)的銅坩堝中，四個電極同時放電形成高溫熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。樣品室的真空度可達(dá)10-6托，也可以充入保護(hù)性氣體。

產(chǎn)品特點

* 采用四電弧法加熱

* 可實現(xiàn)3000°C高溫

* 適用于金屬間化合物材料

基本參數(shù)

樣品腔：

**溫度：3000℃

氣氛：Ar

工作壓強(qiáng)：5x10^-6 Torr~1.1Atm

真空度：10^-6 Torr

尺寸:直徑208*300H

材料:不銹鋼

冷卻:水冷

提拉棒：

提拉生長速度：0.1-39mm/hr

轉(zhuǎn)動速度:0-10rpm

行程：150mm

坩堝：

轉(zhuǎn)動速度：0-10rpm

行程：20mm

電弧電流：

樣品：25/30A（可調(diào)）

真空吸氣劑：25/30A（可調(diào)）

爐體：

重量：350Kg

尺寸：600W*700D*2155H

工作原理圖

發(fā)表文章

1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013)， 124 (2):336-339.

2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf， Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. ， 013004 (2020).

國內(nèi)用戶單位

北京大學(xué)

中科院物理所

復(fù)旦大學(xué)

國外用戶單位

Tokyo University

Okayama University

Osaka University

University of California San Diego

University of Maryland

Vienna University of Technology

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