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筱曉（上海）光子技術有限公司
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GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
應用領域
?太赫茲時域系統
?太赫茲源晶體
?中遠紅外氣體探測
?CO2激光的SHG
?THZ實驗光源
?太赫茲成像
產品特點
? 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
? 抗損傷閾值高
? 非線性系數大
? CO2激光的SHG
? 多種尺寸可選
? 客戶導向的解決方案
? 接受客戶定制服務
