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光譜橢偏儀DUV-VIS-NIR
光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是必不可少的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然，如果必須確定光學常數，則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據所需的應用進行考慮。
光譜橢偏儀特征：
•基于Window軟件，易于操作；
•先進的光學設計，實現zui佳系統性能；
•高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應用；
•基于陣列的探測器系統，確保快速測量；
•用戶可以根據需要定義任意數量的圖層；
•能夠用于實時或在線厚度，折射率監測；
•系統配有全面的光學常數數據庫；
•高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表，色散或有效介質近似（EMA）；
•三種不同的用戶級別控制：工程師模式，系統服務模式和簡易用戶模式；
•靈活的工程模式，適用于各種配方設置和光學模型測試；
•強大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規測量；
•可按照用戶偏好配置測量參數，操作簡便；
•系統全自動校準和初始化；
•直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口，無需外部光學元件；
•精確的高度和傾斜程度調整；
•適用于許多不同類型的不同厚度的基材；
•各種選項，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長擴展，焦點等；
•2D和3D輸出圖形以及用戶數據管理界面；
光譜橢偏儀應用：
•半導體制造（PR，氧化物，氮化物......）
•液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）
•法醫學，生物學材料
•油墨，礦物學，顏料，調色劑
•制藥，醫療器械
•光學涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......
•半導體化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•無定形，納米和硅晶圓
•太陽能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....
光譜橢偏儀技術參數：
型號 | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探測器類型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 |
波長范圍（nm） | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波長點 | 測量波長范圍和波長數據點均在用戶配方中自定義（數據點僅受分辨率限制） | |||
波長分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
數據采集時間 | 100毫秒到10秒，用戶自定義 | |||
入射角范圍 | 20至90度 | |||
入射角分辨率 | 帶手動測角儀的5度預設步驟，用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率，配有自動測角儀，適用于SExxx-BA配置 | |||
偏光光學 | 旋轉偏振器，分析器和/或補償器的組合 | |||
光束尺寸 | 準直光束，光束尺寸可在1至5mm范圍內調節光圈; 可選的聚焦光束模式（可拆卸）可用于減小光斑尺寸 | |||
光源 | （D2 + TH）/氙 | TH | TH | （D2 + TH）/氙 |
其他型號：
紅外光譜橢偏儀TFProbe IRSE
光譜橢偏儀顯微分光光度計 SE-MSP
光譜橢偏儀 SE-SOLAR太陽能光伏
光譜橢偏儀帶自動監測 SE200BM，SE300BM和SE500BM
顯微分光光度計DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500
