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SiC高溫氧化爐
直接聯系
山東力冠微電子裝備有限公司
山東
面議
山東力冠
355
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現晶圓片高溫真空環境下完成氧化工藝。
可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。
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