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產品概述：

氣相沉積爐可用于在特定壓力下將金屬鹵化物、金屬有機物、碳氫化合物等反應源加熱氣化后在目標材料表面反應生成固態沉積物的設備。也用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的復合材料的化學氣相沉積，如C/C復合材料、SiC復合材料等的CVD、CVI處理。

產品特點：

1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。

3）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。

4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。

8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。