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PlasmaPro 100 Estrelas 平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工藝靈活性。

• 光滑側(cè)壁工藝

• 高刻蝕速率腔刻蝕

• 高深寬比工藝

• 錐形通孔刻蝕

• 廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域

• 機械或靜電壓盤

• 加熱內(nèi)襯          

• 改善重復(fù)性

• 延長了兩次清洗間的平均時間間隔（MTBC）

PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在確保覆蓋MEMS，先進封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現(xiàn)。

• 硬件設(shè)計使同一腔室中可進行Bosch?和超低溫刻蝕工藝，使得納米和微米結(jié)構(gòu)刻蝕均可實現(xiàn)

• 兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需一臺系統(tǒng)，便具備從研發(fā)器件到量產(chǎn)的能力

• 自動匹配 - 擁有工藝靈活性

• 更高流量的質(zhì)量流量計以及等離子發(fā)生器 - 自由基密度更高

• 減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通

• 快速近距離耦合質(zhì)量流量計 - 快速控制（初始為ALD而開發(fā)）