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G基站正加速布局。有業(yè)內(nèi)專家預(yù)測，到2025年，通信行業(yè)將消耗全球20%的電力，其中約80%的能耗來自于廣泛分布的基站。
 
越加密集的基站意味著更高的能耗。從熱設(shè)計角度看，則是基站發(fā)熱量增加，溫度控制的難度陡然上升。
 
根據(jù)以往的設(shè)計習(xí)慣，基站是典型的封閉式自然散熱設(shè)備，當(dāng)溫度穩(wěn)定后，所有熱量都會先傳到外殼，再由外殼傳導(dǎo)到空氣。這類產(chǎn)品的熱設(shè)計需求就演變成，在相同空間下盡可能提高換熱效率、降低傳熱熱阻。
 
因此，芯片和殼體之間需要借助導(dǎo)熱界面材料，推動熱界面材料的極大提升。而盡可能低的熱阻、更高的導(dǎo)熱系數(shù)、更好的界面潤濕度，成為了應(yīng)用于5G基站高導(dǎo)熱材料的部分衡量標(biāo)準(zhǔn)。

高性能導(dǎo)熱材料——Tflex? SF10。此款材料屬于萊爾德導(dǎo)熱界面填縫材料產(chǎn)品系列，該材料不含硅膠，導(dǎo)熱系數(shù)為10 W/mk，在壓力形變情況下，只要極小的壓力就具有**的壓縮量 ,同時達(dá)到*低的熱阻。