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產品名稱

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬

英文名稱：Single Layer MoS₂ on SiO₂/Si

性質

形態：薄膜

參數

基底：二氧化硅/硅

基底尺寸：8 mm*6 mm

氧化層：300nm

片徑范圍：20-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

應用

先豐納米**推出CVD法制備的單層二硫化鉬，相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬，該產品具有缺陷少，層數可控，優異的光學性質，是研究層數和熒光效應和制備器件的優異材料，歡迎咨詢。