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產(chǎn)品名稱

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鎢

英文名稱：Single Layer WS2 on SiO2/Si

性質(zhì)

形態(tài)：薄膜

參數(shù)

基底：二氧化硅/硅

氧化層：300nm

基底尺寸：9 mmx9 mm

WS2片徑大小：20-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

應(yīng)用

該類材料缺陷少，光學(xué)性質(zhì)優(yōu)良，層數(shù)可控，是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制備器件的優(yōu)異材料。